Samsung envisage des puces IA avec interposeurs en verre et non du silicium, dès 2028

Samsung prévoit de remplacer le silicium par du verre dans les interposeurs de ses puces d’ici 2028. Cette stratégie vise à répondre à la demande croissante en semi-conducteurs dédiés à l’intelligence artificielle (IA). L’objectif est d’améliorer les performances, de réduire les coûts de fabrication et de gagner en flexibilité industrielle dans un marché en forte évolution.

Le verre, une alternative au silicium pour les interposeurs

Dans l’architecture 2.5D des puces, couramment utilisée pour les applications IA, les interposeurs assurent une liaison rapide. Celle-ci est indispensable entre les processeurs (comme les GPU) et la mémoire à large bande passante (HBM). Historiquement, ces composants sont fabriqués en silicium, reconnu pour sa fiabilité mais devenu coûteux. Surtout depuis l’essor massif de l’intelligence artificielle.

Samsung prévoit désormais d’utiliser le verre pour remplacer ces interposeurs en silicium. Ce matériau offre plusieurs avantages. Un coût inférieur, une stabilité thermique et dimensionnelle accrue, ainsi qu’une précision plus élevée permettant la gravure de circuits très fins. Ces caractéristiques répondent aux exigences techniques des puces de nouvelle génération.

Samsung n’est pas seul à s’intéresser à cette transition. D’autres acteurs comme TSMC explorent également les substrats en verre. Une tendance de fond qui fait son apparition petit à petit dans l’industrie. Si les déclarations rapportées par la presse coréenne se confirment… Samsung et TSMC pourraient être parmi les premiers à lancer des puces IA avec interposeurs en verre dès 2028.

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Une stratégie industrielle différenciante

Alors que certains concurrents optent pour de grandes plaques de verre (jusqu’à 510 × 515 mm), Samsung privilégie des interposeurs plus petits. En effet, ils sont inférieurs à 100 × 100 mm. Cette méthode, bien qu’ayant un rendement de production plus faible, permet un prototypage accéléré.

La production s’appuiera sur le site de Cheonan, équipé d’une ligne de conditionnement « panel-level packaging » (PLP). Il repose sur des panneaux carrés au lieu des tranches circulaires classiques en silicium. Ce procédé vise à accroître la souplesse et la rapidité de fabrication.

Ce développement s’inscrit dans une stratégie globale baptisée AI Integrated Solution. Elle regroupe alors la fonderie, la mémoire HBM et le packaging avancé. Une approche intégrée permettant à Samsung de mieux contrôler l’ensemble de la chaîne de production pour les semi-conducteurs IA.

Cette évolution technique, soutenue par une vision industrielle intégrée, pourrait bien redéfinir les standards du packaging avancé dans le domaine des semi-conducteurs.